光刻-苏州芯墨电子有限公司

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光刻
MEMS加工
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。芯墨掌握接触式光刻、步进式光刻、电子束光刻等多种光刻技术。

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应用材料	·硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等
光刻加工工艺	·接触式光刻最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
	·步进式光刻投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35μm ，套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范围 22*22mm
	·电子束光刻最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范围 < 直径100mm

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